تراشه جدید سامسونگ سرعت گوشی های پرچمدار را افزایش می دهد

شرکت سامسونگ الکتریک، رهبر جهان در فناوری حافظه پیشرفته به شمار می آید. این کمپانی به تازگی خبر داده که تولید انبوه تراشه های حافظه 512 گیگابایتی خود را آغاز کرده است. این تراشه ها بر اساس استاندارد جدید eUFS 3.1 ساخته شده و در گوشی های گلکسی S20 به کار رفته اند. پس می توان انتظار داشت که تراشه های 512 گیگابایتی خیلی زود در برندهای دیگر نیز مورد استفاده قرار گیرند. نکته مهم در این میان، افزایش سرعت قابل توجه گوشی های هوشمند، به واسطه تراشه های قدرتمند جدید سامسونگ است.

تراشه های جدید می توانند سرعت خواندن و نوشتن داده ها را به ترتیب تا 2100 و 1200 مگابایت بر ثانیه افزایش دهند. جالب اینکه سرعت خواندن 1200 مگابایت بر ثانیه، تقریبا سه برابر بیشتر از سرعت خواندن تراشه های eUFS 3.0 قدیمی است. از لحاظ کارایی تصادفی، تراشه eUSF 3.1 512 گیگابایتی بیش از 60 درصد سریع تر از نسخه USF 3.0 عمل می کند، به طوری که IOPS نوشتن و خواندن به طور چشمگیری افزایش یافته و به ترتیب تا 70 هزار IOPS و 100 هزار IOPS بهبود پیدا کرده اند.

از تراشه جدید سامسونگ برای ذخیره سازی ویدیوهای 8K استفاده می شود، بدون اینکه نیازی به بافرینگ باشد. به علاوه، می توان 100 گیگابایت داده را تنها در طی 90 ثانیه از یک گوشی قدیمی به گوشی هوشمند مجهز به حافظه eUFS 3.1 منتقل کرد.

ظاهرا سامسونگ قصد دارد تا نسخه های 256 گیگابایتی و 128 گیگابایتی از تراشه های حافظه eUFS 3.1 را نیز برای گوشی های پرچمدار خود تهیه کند. این گوشی ها قرار است در اواخر سال جاری عرضه شوند. غول فناوری کره ای تولید انبوه تراشه های ذخیره سازی V-NAND نسل پنجم را در شی آن چین آغاز کرده و قصد دارد تا خط تولید پیونگتائک را از تراشه های نسل پنجم، به ساخت تراشه های نسل ششم تغییر دهد.